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2N5245_Q

描述射频JFET晶体管 NCh RF Transistor最大漏极/栅极电压30 V
漏极连续电流15 mA功率耗散350 mW
最大工作温度+ 150 C安装风格Through Hole
封装 / 箱体TO-92封装Bulk
最小工作温度- 55 C

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