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APT19M120J

  • 制造商:-
  • 标准包装:10
  • 类别:半导体模块
  • 家庭:FET
  • 系列:POWER MOS 8?
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1$37.9
  • 10$35.061
  • 100$29.8494
  • 250$27.4804
  • 500$26.059
产品属性
描述MOSFET N-CH 1200V 19A SOT-227FET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)1200V(1.2kV)电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C19A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C530 毫欧 @ 14A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 2.5mA
闸电荷(Qg) @ Vgs300nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds9670pF @ 25V
功率 - 最大545W安装类型底座安装
封装/外壳SOT-227-4,miniBLOC供应商设备封装ISOTOP?
包装管件

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