供应FGL40N120AND Fairchild Semiconductor(Fairchild Semiconductor,Fairchild Semiconductor) datasheet IGBT

产品属性关于Fairchild Semiconductor(Fairchild Semiconductor,Fairchild Semiconductor)

“FGL40N120AND”电子资讯

2012年2月13日维库电子市场网IC报价
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基于提高太阳能逆变器的转换效率的解决方案
的导通损耗。目前市面上有采用to-220封装、rds(on) 值低于100毫欧的mosfet和采用to-247封装、rds(on) 值低于50毫欧的mosfet。对于需要1200v功率开关的太阳能逆变器，igbt是适当的选择。较先进的igbt技术，比如npt trench 和 npt field stop，都针对降低导通损耗做了优化，但代价是较高的开关损耗，这使得它们不太适合于高频下的升压应用。飞兆半导体在旧有npt平面技术的基础上开发了一种可以提高高开关频率的升压电路效率的器件fgl40n120and，具有43uj/a的eoff ，比较采用更先进技术器件的eoff为80uj/a，但要获得这种性能却非常困难。fgl40n120and器件的缺点在于饱和压降vce(sat) (3.0v 相对于125?c的 2.1v) 较高，不过它在高升压开关频率下开关损耗很低的优点已足以弥补这一切。该器件还集成了反并联二极管。在正常升压工作下，该二极管不会导通。然而，在启动期间或瞬变情况下，升压电路有可能被驱使进入工作模式，这时该反并联二极管就会导通。由于igbt本身没有固有的体二极管，故需要这种共封装的二极管 ...