| 描述 | MOSFET N-CH 20V 2A WSMINI6 | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 105 毫欧 @ 1A，4V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.3V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | - | Vgs（最大值） | ±10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 280 pF @ 10 V | FET 功能 | 肖特基二极管（隔离式） |
| 功率耗散（最大值） | 700mW（Ta） | 工作温度 | 125°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | WS迷你型6-F1-B |
| 封装/外壳 | 6-SMD，扁平引线 |
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