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  • GA200HS60S1PBF

GA200HS60S1PBF

  • 制造商:Vishay(Vishay,Vishay)
  • 安装类型:螺丝
  • 宽度:35mm
  • 封装类型:INT-A-PAK
  • 尺寸:94 x 35 x 30mm
  • 引脚数目:7

参考价格

  • 数量单价
  • 1RMB990.00
  • 2RMB880.00
最低工作温度-40 °C最大栅极发射极电压±20V
最大连续集电极电流480 A最大集电极-发射极电压600 V
最高工作温度+150 °C通道类型N
配置长度94mm
高度30mm

“GA200HS60S1PBF”电子资讯

  • Vishay 推出新系列半桥绝缘栅双极型晶体管 (IGBT)

    日前,vishay intertechnology, inc.(nyse 股市代号:vsh)宣布推出采用业界标准 int-a-pak 封装的新系列半桥绝缘栅双极型晶体管 (igbt)。该系列由八个 600v 及 1200v 器件组成,这些器件采用多种技术,可在标准及超快速度下实现高开关工作频率。 日前推出的这八款新器件采用可满足各种应用需求的三种不同 igbt 技术。ga100ts60sfpbf 和ga200hs60s1pbf采用标准穿通 (pt) igbt 技术,而ga200ts60upbf、ga75ts120upbf 及 ga100ts120upbf器件采用可实现更紧参数分布及高效率的第 4 代技术。gb100ts60npbf、gb150ts60npbf 及gb200ts60npbf 模块采用第 5 代非穿通 (npt) 技术,可实现 10µs 短路功能的额外优势。 其中ga100ts60sfpbf 和ga200hs60s1pbf 是专为高达 1khz 硬开关工作频率而进行优化设计的标准速度器件;其他六个 igbt 是与用于桥配置的 hexfred® 超软恢复反并联二极管 ...

  • Vishay推出采用Int-A-Pak封装具有75A~200A高额定电流新系列半桥600V及1200V IGBT模块

    日前,vishay intertechnology, inc.宣布推出采用业界标准 int-a-pak 封装的新系列半桥绝缘栅双极型晶体管 (igbt)。该系列由八个 600v 及 1200v 器件组成,这些器件采用多种技术,可在标准及超快速度下实现高开关工作频率。 日前推出的这八款新器件采用可满足各种应用需求的三种不同 igbt 技术。ga100ts60sfpbf 和ga200hs60s1pbf采用标准穿通 (pt) igbt 技术,而ga200ts60upbf、ga75ts120upbf 及 ga100ts120upbf器件采用可实现更紧参数分布及高效率的第 4 代技术。gb100ts60npbf、gb150ts60npbf 及gb200ts60npbf 模块采用第 5 代非穿通 (npt) 技术,可实现 10µs 短路功能的额外优势。 其中ga100ts60sfpbf 和ga200hs60s1pbf 是专为高达 1khz 硬开关工作频率而进行优化设计的标准速度器件;其他六个 igbt 是与用于桥配置的 hexfred® 超软恢复反并联二极管共同封装的超快速模块,这些超快 ...

  • Vishay发布新系列半桥IGBT模块,包含八个600V及1200V器件

    vishay宣布推出采用业界标准int-a-pak封装的新系列半桥绝缘栅双极型晶体管(igbt)。该系列由八个600v及1200v器件组成,这些器件采用多种技术,可在标准及超快速度下实现高开关工作频率。 日前推出的这八款新器件采用可满足各种应用需求的三种不同igbt技术。ga100ts60sfpbf和ga200hs60s1pbf采用标准穿通(pt) igbt技术,而ga200ts60upbf,ga75ts120upbf及ga100ts120upbf器件采用可实现更紧参数分布及高效率的第4代技术。 gb100ts60npbf,gb150ts60npbf及gb200ts60npbf模块采用第5代非穿通(npt)技术,可实现10μs短路功能的额外优势。 该ga100ts60sfpbf和ga200hs60s1pbf是专为高达1khz硬开关工作频率而优化的标准速度器件。其他六个igbt是与用于桥配置的hexfred超软恢复反并联二极管共同封装的超快速模块。这些超快速器件可在硬开关中实现8khz~60khz的高工作频率,在共振模式下可实现200khz以上的工作频率。 vishay新型igbt系列 ...

  • Vishay推出新系列半桥600V及1200V IGBT模块

    vishay宣布推出采用业界标准 int-a-pak 封装的新系列半桥绝缘栅双极型晶体管 (igbt)。该系列由八个 600v 及 1200v 器件组成,这些器件采用多种技术,可在标准及超快速度下实现高开关工作频率。 日前推出的这八款新器件采用可满足各种应用需求的三种不同 igbt 技术。ga100ts60sfpbf 和ga200hs60s1pbf采用标准穿通 (pt) igbt 技术,而ga200ts60upbf, ga75ts120upbf, 及ga100ts120upbf器件采用可实现更紧参数分布及高效率的第 4 代技术。gb100ts60npbf,gb150ts60npbf及gb200ts60npbf模块采用第 5 代非穿通 (npt) 技术,可实现 10μs 短路功能的额外优势。 该ga100ts60sfpbf 和ga200hs60s1pbf 是专为高达 1khz 硬开关工作频率而优化的标准速度器件。其他六个 igbt 是与用于桥配置的 hexfred超软恢复反并联二极管共同封装的超快速模块。这些超快速器件可在硬开关中实现 8khz~60khz 的高工作频率,在共振模式下可实现 200 ...

“GA200HS60S1PBF”技术资料

  • Vishay 推出采用 Int-A-Pak 封装且具有 75A~200A 高额定电流的新系列半桥 600V 及 1200V IGBT 模块

    日前推出的这八款新器件采用可满足各种应用需求的三种不同 igbt 技术。ga100ts60sfpbf和ga200hs60s1pbf采用标准穿通 (pt) igbt 技术,而ga200ts60upbf、ga75ts120upbf及 ga100ts120upbf器件采用可实现更紧参数分布及高效率的第 4 代技术。gb100ts60npbf、gb150ts60npbf及gb200ts60npbf模块采用第 5 代非穿通 (npt) 技术,可实现 10μs 短路功能的额外优势。 其中ga100ts60sfpbf和ga200hs60s1pbf是专为高达 1khz 硬开关工作频率而进行优化设计的标准速度器件;其他六个 igbt 是与用于桥配置的 hexfred? 超软恢复反并联二极管共同封装的超快速模块,这些超快速器件可在硬开关中实现 8khz~60khz 的高工作频率,在共振模式下可实现 200khz 以上的工作频率。 vishay 此次推出的全新 igbt 系列具有 75a~200a 的高额定电流及低功耗,该系列器件专为高频工业焊接、ups、smps、太阳能转换器及电动机驱动应用中的隔离与非隔离转换器 ...

  • Vishay发布新系列半桥IGBT模块,包含八个600V及1200V器件

    vishay宣布推出采用业界标准int-a-pak封装的新系列半桥绝缘栅双极型晶体管(igbt)。该系列由八个600v及1200v器件组成,这些器件采用多种技术,可在标准及超快速度下实现高开关工作频率。 日前推出的这八款新器件采用可满足各种应用需求的三种不同igbt技术。ga100ts60sfpbf和ga200hs60s1pbf采用标准穿通(pt) igbt技术,而ga200ts60upbf,ga75ts120upbf及ga100ts120upbf器件采用可实现更紧参数分布及高效率的第4代技术。 gb100ts60npbf,gb150ts60npbf及gb200ts60npbf模块采用第5代非穿通(npt)技术,可实现10μs短路功能的额外优势。 该ga100ts60sfpbf和ga200hs60s1pbf是专为高达1khz硬开关工作频率而优化的标准速度器件。其他六个igbt是与用于桥配置的hexfred超软恢复反并联二极管共同封装的超快速模块。这些超快速器件可在硬开关中实现8khz~60khz的高工作频率,在共振模式下可实现200khz以上的工作频率。 vishay新型igbt系列 ...

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