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  • IR2085S

IR2085S

参考价格

  • 数量单价
  • 190$2.36784
描述IC DRVR HALF-BRDG SELF-OSC 8SOIC输入类型自振荡
延迟时间-电流 - 峰1A
配置数1输出数2
高端电压 - 最大(自引导启动)100V电源电压10 V ~ 15 V
工作温度-40°C ~ 125°C安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商设备封装8-SOICN
包装管件其它名称*IR2085S

“IR2085S”电子资讯

  • 增强网络与通信系统的电源配送能力与电源散热管理芯片应用特征

    2.5v之间)。另一个方案是将48v总线转换至12v,但不直接对任何负载供电,而只用于两级架构,由它推动pol转换器。然而,上述的3.3v和12v dpa方案并非最佳的解决方案。 因此在一个两级架构中,同时将两级电路进行效率优化是至关重要的。为了最大限度地降低功率损耗并使效率最大化,一个非隔离型pol的输入电压应以8v(标称值)为中心。为了最大限度地压缩占用空间和降低成本,该48v至8vdc总线转换器技术不需要一个经紧密调节的中间总线电压,因为pol转换器为负载提供了理想的稳压。 2.2应用ir2085s控制器实现最佳dc总线转换器解决方案,见图7所示 ir2085s控制器ic应用特征 它采用一个50%的占空比以及自振式控制器icir2085s,负责驱动由两个mosfet所组成的原边半桥电路。该dc总线转换器的副边由一个自驱动同步整流电路组成。这实现了功率转换效率和功率密度的最大化,且最大限度地减少了输入和输出滤波处理,并减少元件总数和降低复杂程度。 这种新型dc总线转换器芯片组解决方案采用了一个ir2085s控制器ic,该ic将50%占空比的振荡器与一个100v/la半桥驱动器ic集成在 ...

“IR2085S”技术资料

  • 分布式电源系统中直流母线电压变换器的选择与应用

    率最高、占的空间最小,在功率密度方面是最好的,大量地减少了元件数量,因而有利于降低总成本。这个方案对输入滤波和输出滤波的要求也是最低的,所以可以进一步减少电容器和其他元件。这种电源系统的控制、监控、同步以及顺序控制都大大地简化了。图3是直流母转换器设计的例子,其中使用了很有创意的新技术,因而可以达到这样的性能。如图4所示,可以利用直流母线转换器解决方案来实现两级供电系统。直流母线转换器芯片组四周是原边半桥整流器控制器和驱动器集成电路和mosfet技术,正是由于这个芯片组,才能达到这样的性能。 ir2085s是一种新的控制器集成电路,是针对用于电路板上48 v两级配电系统的非稳压型隔离式直流母线电压转换器而研制的。控制器是针对性能、简单、成本进行了优化的。它把一个占空比为50 %的时钟与100 v、1 a的半桥整流器驱动器集成电路整合在一起,装在一个so-8封装中。它的频率和死区时间可以在外面进行调节,满足各种应用的要求。它还有限制电流的功能。为了限制接通电源时突然增大的电流,在ir2085s里面有软启动功能,它控制占空比,由零慢慢地增加到50 %。在软启动过程中,一般持续2000个栅极驱动信号脉冲 ...

  • 用于下一代分布电源结构的直流总线变换器和负载点电源模块技术

    围的系统来说,6-8v总线电压更有意义。它使用了一个工作在固定50%占空比的隔离变换器来得到简单的、自驱动的次级同步整流。这具有高的功率转换效率,降低了输入和输出滤波的需要,并改善了可靠性。对于第二级,安装在电路板上,使用了非隔离的pol。它们仅要求少数的无源器件,因此与分立的或模件方法比较,减少了板上空间和设计复杂度。 直流总线变换器设计 为了得到这种新拓扑结构的最大优点,直流总线变换器需要新半桥和全桥控制器,以及优化的功率mosfet技术。 作为新类型控制器例子,国际整流器公司的ir2085s 集成了50%占空比振荡器,与100v,1a半桥驱动ic到单一so-8封装内,具有外部可调节的频率和死区时间以用于各种应用要求。提供了使能端和电流限制控制端。内部软启动特性极限在启动期间的浪涌电流,通过大约在门驱动信号的最初2000 个脉冲期间逐渐增加占空比到50%。相类似的方法可用于全桥直流总线变换器,使用新型的ir2086s,对于高达240w,在相似的波形因素下,在满载电流下具有大约96.4%的效率。 图1显示了48v直流输入的原理图,它可用于36到75v输入电压宽范围、220w直流总线 ...

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