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  • LM393AN

LM393AN

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1$0.46
  • 10$0.357
  • 25$0.3012
  • 100$0.245
  • 250$0.203
描述IC COMP DUAL VOLTAGE LP 8-DIP类型通用
元件数2输出类型CMOS,DTL,ECL,MOS,开路集电极,TTL
电压 - 电源,单路/双路(±)2 V ~ 36 V,±1 V ~ 18 V电压 - 输入偏移(最小值)2mV @ 30V
电流 - 输入偏压(最小值)0.1?A @ 5V电流 - 输出(标准)18mA @ 5V
电流 - 静态(最大值)2.5mACMRR, PSRR(标准)-
传输延迟(最大)-磁滞-
工作温度0°C ~ 70°C封装/外壳8-DIP(0.300",7.62mm)
安装类型通孔包装管件
其它名称497-6881-5STLM393ANSTLM393AN-ND

“LM393AN”技术资料

  • 基于MAX1968的半导体激光电源设计

    3.5 比例电路的实现 其中α=r10/r11,r10为一个50 kω 的电位器,r11为一个10 kω 的金属膜电阻, 为了使r10的旋钮位于中间位置,取r10为20 kω,即α=2。而根据传感器电压与温度的特性,当传感器信号输入端为3 v 时,要使输出vo为1.5 v,代入公式计算得v+为2.5 v,因此v+用一个集成运放(lm358)与一个电位器连接起来输出一个2.5 v 的电压,电路如图5 所示。 图5 比例电路 3.6 比较电路与报警电路的实现 比较器由lm393an 实现。根据设计要求, 当温度超过155 ℃(对应的传感器输入为4 v,比例电路的输出为0.5 v)或者低于-55 ℃(对应传感器的输入为2.2 v, 比例电路输出为2.5 v),输出一个高电平的报警信号。因此分别选择r6为10 kω,r7和r8为5 kω, 组成一个分压电路对+5 v 进行分压,然后分别分给lm393an 的2 和5 管脚,作为比较电压。 实现电路如图6 所示。 图6 报警电路 3.7 供电电源 主要设计了4 块供电模块电源: 第一块5 v4 a ...

  • 中频电阻焊机电源的IGBT保户方法

    路中,rs取值较小,这样既有较好的吸收效果,同时对开通时的电流尖峰又有抑制作用。 igbt的过热保护 由于igbt是大功率半导体器件,损耗功率使其发热较多,加之igbt的结温不能超过125摄氏度,不宜长期工作在较高温度下,因此要采取恰当的散热措施进行过热保护。 本文采用普通散热器与强迫风冷相结合的措施,并在控制电路上加过热检测保护电路,应付igbt与散热器接触不良或者非正常情况,在igbt散热片上安装热敏电阻,然后通过逻辑判断电路给出信号,供控制电路处理(见图4)。 u11为lm393an比较器,jp5处接上具有正温度系数的热敏电阻rt,thref为参考电压,可以通过调节电位器rp8来调节动作门槛值。电路正常工作时,2点电位比3点电位低,1点输出信号thp为高电平,thp信号在cpld(epm7128s)中与pwm信号相与,当器件温度超过极限时,热敏电阻值升高,2点电位高于3点电位,1点输出低电平,经cpld封锁pwm脉冲信号,驱动输出低电平,从而关断igbt,实现过热保护。 实验结果与分析 根据以上各种保护电路,结合图1主电路,构成本实验电路。加压后使其工作,采用示波器t ...

  • 中频电阻焊机电源的IGBT保护方法

    差。所以,在缓冲吸收电路中,rs取值较小,这样既有较好的吸收效果,同时对开通时的电流尖峰又有抑制作用。igbt的过热保护由于igbt是大功率半导体器件,损耗功率使其发热较多,加之igbt的结温不能超过125℃,不宜长期工作在较高温度下,因此要采取恰当的散热措施进行过热保护。本文采用普通散热器与强迫风冷相结合的措施,并在控制电路上加过热检测保护电路,应付igbt与散热器接触不良或其它非正常情况。在igbt散热片上安装热敏电阻,然后通过逻辑判断电路给出信号,供控制电路处理(见图4)。 u11为lm393an比较器,jp5处接上具有正温度系数的热敏电阻rt,thref为参考电压,可以通过调节电位器rp8来调节动作门槛值。电路正常工作时,2点电位比3点电位低,1点输出信号thp为高电平,thp信号在cpld(epm7128s)中与pwm信号相与;当器件温度超过极限时,热敏电阻值升高,2点电位高于3点电位,1点输出低电平,经cpld封锁pwm脉冲信号,驱动输出低电平,从而关断igbt,实现过热保护。 实验结果与分析根据以上各种保护电路,结合图1主电路,构成本实验电路。加压后使其工作,采用示波器tds3 ...

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