| 描述 | IGBT MOD MOSFET SIXPACK ISOPLUS | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | 6 N-沟道（3 相桥） | FET 功能 | - |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 190A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.2 毫欧 @ 100A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 275μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 155nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 11100pF @ 50V |
| 功率 - 最大值 | - | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | ISOPLUS-DIL? |
| 供应商器件封装 | ISOPLUS-DIL? |
