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NSB1010XV5T5G

描述Transistors Switching (Resistor Biased) 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP典型电阻器比率1
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体SOT-553-5
集电极—发射极最大电压 VCEO50 V集电极连续电流0.1 A
峰值直流集电极电流100 mA功率耗散357 mW
最大工作温度+ 150 C封装Reel
最小工作温度- 55 C工厂包装数量8000

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