您的位置：维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > stgb3nb60mdt4

STGB3NB60MDT4

制造商：STMicroelectronics(STMicroelectronics,STMicroelectronics)
产品种类：IGBT 晶体管
配置：Single
集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V
集电极—射极饱和电压：2.4 V

发布求购更多供应商

Data sheet：下载

产品属性关于STMicroelectronics(STMicroelectronics,STMicroelectronics)

描述	IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 3 Amp	栅极/发射极最大电压	+/- 20 V
在25 C的连续集电极电流	3 A	栅极—射极漏泄电流	100 nA
功率耗散	68 W	最大工作温度	+ 150 C
封装 / 箱体	D2PAK-3	封装	Reel
集电极最大连续电流 Ic	6 A	最小工作温度	- 55 C
安装风格	SMD/SMT	工厂包装数量	1000

stgb3nb60mdt4的相关型号：