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VMO1200-01F

  • 制造商:IXYS(IXYS,IXYS)
  • 类别:半导体模块
  • 家庭:FET
  • 系列:HiPerFET?
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 100V 1245A Y3-LI漏极至源极电压(Vdss)100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1245A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.35 毫欧 @ 932A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 64mA闸电荷(Qg) @ Vgs2520nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds-功率 - 最大-
安装类型底座安装封装/外壳Y3-Li
供应商设备封装Y3-Li包装托盘

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