| 描述 | TRANS PNP WITH DIODE SMINI-6 | 晶体管类型 | PNP - 预偏压 + 二极管 |
|---|---|---|---|
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 100mA | 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1)（欧） | 4.7k | 电阻器 - 发射极 (R2)（欧） | 4.7k |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 20 @ 5mA，10V | Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 250mV @ 300?A，10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 500nA | 频率 - 转换 | 80MHz |
| 功率 - 最大 | 150mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 供应商设备封装 | S迷你型6-G1 |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | XP0NG8A00LTR |
