| 外观 | 制造商零件编号 | 制造商 | 描述 | 封装/外壳 | 包装 | ROHS |
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VNB35N07TR-E |
STMicroelectronics | MOSFET OMNIFET 70V 35A D2PAK | TO-263-3，D?Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 带卷 (TR) |
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VNB35NV0413TR |
STMicroelectronics | MOSFET POWER 40V 30A D2PAK | TO-263-3，D?Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 带卷 (TR) |
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VNB35NV04-E |
STMicroelectronics | MOSFET OMNIFETII 40V 30A D2PAK | TO-263-3，D?Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 管件 |
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VNB49N0413TR |
STMicroelectronics | MOSFET OMNIFET 42V 49A D2PAK | TO-263-3，D?Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 带卷 (TR) |
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VNB49N04-E |
STMicroelectronics | MOSFET OMNIFET 42V 49A D2PAK | TO-263-3，D?Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 管件 |
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VNB49N04 |
STMicroelectronics | MOSFET POWER 42V 49A D2PAK | TO-263-3，D?Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 管件 |
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VNB49N04TR-E |
STMicroelectronics | MOSFET OMNIFET 42V 49A D2PAK | TO-263-3，D?Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 带卷 (TR) |
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VND05B(011Y) |
STMicroelectronics | IC SMART PWR SSR 2CH HEPTAWATT-7 | Heptawatt-7（水平，弯曲和错列引线） | 管件 |
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VND05B-11-E |
STMicroelectronics | IC SMART PWR SSR 2CH HEPTAWATT-7 | Heptawatt-7（水平，弯曲和错列引线） | 管件 |
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VND05B-12-E |
STMicroelectronics | IC SMART PWR SSR 2CH HEPTAWATT-7 | Heptawatt-7（直引线，交错配接深度） | 管件 |
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VND05B-E |
STMicroelectronics | IC SMART PWR SSR 2CH HEPTAWATT-7 | Heptawatt-7（垂直，弯曲和错列引线） | 管件 |
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VND05B |
STMicroelectronics | IC SSR HISIDE 2CH HEPTAWATT VERT | Heptawatt-7（垂直，弯曲和错列引线） | 管件 |
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VND05BSP-E |
STMicroelectronics | IC SMART PWR SSR 2CH POWERSO10 | PowerSO-10 裸露底部焊盘 | 管件 |
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VND05BSPTR-E |
STMicroelectronics | IC SMART PWR SSR 2CH POWERSO10 | PowerSO-10 裸露底部焊盘 | 带卷 (TR) |
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VND10B(011Y) |
STMicroelectronics | IC SMART PWR SSR 2CH PENTAWATT-5 | Pentawatt-5（水平，弯曲和错列引线） | 管件 |
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