| 描述 | DIODE GEN PURP 3A DO214AB | 类型 | 齐纳 |
|---|---|---|---|
| 单向通道 | - | 双向通道 | 1 |
| 电压 - 反向断态（典型值） | 8.55V | 电压 - 击穿（最小值） | 9.5V |
| 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值） | 14.5V | 电流 - 峰值脉冲 (10/1000μs) | 108A |
| 功率 - 峰值脉冲 | 1500W（1.5kW） | 电源线路保护 | 无 |
| 应用 | 电信 | 不同频率时电容 | - |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | DO-214AB，SMC | 供应商器件封装 | DO-214AB（SMC） |
