实现高增益，这大大减少了所需的部件数量，与传统设计相比，部件数量减少了70%。部件数量的大幅减少，使主板空间要求和制造复杂性随之降低，最终使放大器成本全面降低。 飞思卡尔副总裁兼射频部总经理gavin p. woods表示：“mrf6vp11kh的推出，在效率、输出功率、可靠性和设计集成的便利性等各方面设定了新的行业基准。任何其他射频功率设备（包括ldmos、mosfet和双极）都无法实现这样的性能。我们将继续针对这类市场推出创新设备，让我们的客户能够攻克系统性能的新障碍。” 这种晶体管在10-150 mhz之间运行。它采用飞思卡尔第六代高电压(vhv6) ldmos（横向扩散金属氧化物晶体管)技术，是飞思卡尔承诺向工业、科技和医疗（ism）市场提供业界最新射频功率解决方案的最新例证。该产品组合2006年6月公布的业界领先的50v vhv6 ldmos设备系列，能够满足在频率高达450 mhz的hf、vhf和uhf上操作ism应用所需的要求。 abi research半导体研究主任lance wilson表示： “飞思卡尔凭借50v ldmos已经突破rf 1 kw脉冲功率级别。mrf6v ...
少了所需的部件数量，与传统设计相比，部件数量减少了70%。部件数量的大幅减少，使主板空间要求和制造复杂性随之降低，最终使放大器成本全面降低。 飞思卡尔副总裁兼射频部总经理gavin p. woods表示：“mrf6vp11kh的推出，在效率、输出功率、可靠性和设计集成的便利性等各方面设定了新的行业基准。任何其他射频功率设备（包括ldmos、mosfet和双极）都无法实现这样的性能。我们将继续针对这类市场推出创新设备，让我们的客户能够攻克系统性能的新障碍。” 这种晶体管在10-150 mhz之间运行。它采用飞思卡尔第六代高电压 (vhv6) ldmos（横向扩散金属氧化物晶体管)技术，是飞思卡尔承诺向工业、科技和医疗（ism）市场提供业界最新射频功率解决方案的最新例证。该产品组合2006年6月公布的业界领先的50v vhv6 ldmos设备系列，能够满足在频率高达450 mhz的hf、vhf和uhf上操作ism应用所需的要求。 abi research半导体研究主任lance wilson表示： “飞思卡尔凭借50v ldmos已经突破rf 1 kw脉冲功率级别 ...
增益。 这种超高效率晶体管是飞思卡尔承诺为工业、科技和医疗（ism）市场提供业界最具创新力的射频功率解决方案的最新例证。该晶体管的操作电压为50v，与双极和mosfet 设备相比，它具有明显的优势。它能够提供核磁共振成像(mri)系统、co2激光器、等离子体发生器和其他系统所需的功率。 以空前的功率水平实现高增益，这大大减少了所需的部件数量，与传统设计相比，部件数量减少了70%。部件数量的大幅减少，使主板空间要求和制造复杂性随之降低，最终使放大器成本全面降低。 这种晶体管在10-150 mhz之间运行。它采用飞思卡尔第六代高电压 (vhv6) ldmos（横向扩散金属氧化物晶体管)技术，是飞思卡尔承诺向工业、科技和医疗（ism）市场提供业界最新射频功率解决方案的最新例证。该产品组合2006年6月公布的业界领先的50v vhv6 ldmos设备系列，能够满足在频率高达450 mhz的hf、vhf和uhf上操作ism应用所需的要求。 mrf6vp11kh带来的好处已经超越了它作为功能最强大的商用ldmos rf晶体管的地位。mrf6vp11kh提供65%的排放功率，这对任何 ...
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