106V

阻值大小确定）判断。 （3）逆变器模块烧坏 中、小型变频器一般用三组igtr（大功率晶体管模块）；大容量的机种采用多组igtr并联，故测量检查时应分别逐一进行检测。igtr的损坏也可引起变频器oc（+pa或+pd或+pn）保护功能动作。逆变器模块的损坏原因很多：如输出负载发生短路；负载过大，大电流持续运行；负载波动很大，导致浪涌电流过大；冷却风扇效果差；致使模块温度过高，导致模块损坏、性能变差、参数变化等问题，引起逆变器输出异常。如一台frn22g11s-4cx变频器，输出电压三相为106v，解体在线检查逆变模块（6mbp100rs-120）外观，没发现异常，测量6路驱动电路也没发现故障，将逆变模块拆下测量发现有一组模块不能正常导通，该模块参数变化很大（与其它两组比较），更换之后，通电运行正常。又如mf-30k-380变频器在启动时出现直流回路过压跳闸故障。这台变频器并不是每次启动时，都会过压跳闸。检查时出现变频器在通电（控制面板上无通电显示信号）后，测得直流回路电压达到500v以上，由于该型变频器直流回路的正极串联1只sk-25接触器。在有合闸信号时经过预充电过程吸合，故怀疑预充 ...

大小确定）判断。 （3）逆变器模块烧坏 中、小型变频器一般用三组igtr（大功率晶体管模块）；大容量的机种均采用多组igtr并联，故测量检查时应分别逐一进行检测。igtr的损坏也可引起变频器oc（+pa或+pd或+pn）保护功能动作。逆变器模块的损坏原因很多:如输出负载发生短路；负载过大，大电流持续运行；负载波动很大，导致浪涌电流过大；冷却风扇效果差；致使模块温度过高，导致模块烧坏、性能变差、参数变化等问题，引起逆变器输出异常。如一台frn22g11s-4cx变频器，输出电压三相差为106v，解体在线检查逆变模块（6mbp100rs-120）外观，没发现异常，测量6路驱动电路也没发现故障，将逆变模块拆下测量发现有一组模块不能正常导通，该模块参数变化很大（与其它两组比较），更换之后，通电运行正常。又如mf-30k-380变频器在启动时出现直流回路过压跳闸故障。这台变频器并不是每次启动时，都会过压跳闸。检查时发现变频器在通电（控制面板上无通电显示信号）后，测得直流回路电压达到500v以上，由于该型变频器直流回路的正极串接1只sk-25接触器。在有合闸信号时经过预充电过程后吸合，故怀疑预 ...

小、噪声低、频带宽、动态范围大、功率大、附加效率高等特点，而且gaas是直接带隙，禁带宽度大，因而器件的抗电磁辐射能力强，工作温度范围宽，更适合在恶劣的环境下工作。由于gaas器件具有以上优点，gaasmesfet已几乎占领了微波应用的各个领域。 20世纪九十年代中后期对于sic材料的研究表明，它的性能指标比gaas器件还要高一个数量级。sic与其他半导体材料相比，具有下列优异的物理特点：高的禁带宽度(4h-sic，3.2ev)，高的饱和电子漂移速率(2×107cm·s-1)，高的击穿强度(4×106v·cm-1)，低的介电常数和高的热导率4.9w·(c m·k) -1 [16，17]。上述这些优异的物理特性，决定了sic在高温、高频率、高功率的应用场合是极为理想的半导体材料。在同样的耐压和电流条件下，sic器件的漂移区电阻要比si低200倍。其功率密度是si和gaas的3～4倍，热导性能是si的3倍，是gaas的10倍。用sic材料制造的mesfet的射频(rf)功率密度达到4.6w·mm-1，功率效率(pae)达到65.7％，击穿电压超过100v，sic的型体非常多，在半导体应用时4h-s ...

文献[6，12]吻合)。分析指出，因为加正、负栅压时，衬底表面层状态不一样，故其相应的eb有偏差。以n型为例，当栅极加正偏压时，在si-sioxny界面处的衬底表面层形成多子堆积，使得正偏较小时就有大量电子通过隧道效应注入到绝缘层，容易产生雪崩击穿，故月、值就较小；而当栅极加较小负偏压时，则在si衬底表面层形成多子耗尽，负偏增加，耗尽层宽度增宽，负偏再增大时，衬底表面层转变为少子反型状态，随着负偏压的继续增大，mis结构才被击穿，所以eb值相当大。通常热氧化(干氧)制成的sio2膜eb=7．0×106v·cm-1[13]。本研究获得的召。与其对比看出，pecvd低温形成的膜结合退火致密处理，在适宜电极偏置下，其耐压性能可达到甚至超过热氧化制成的sio2膜，显见pecvd低温形成纳米级薄介质膜有其广泛应用前景。综合实验结果得出，采用dp-80型平板式反应系统和pecvd法低温形成击穿的电学特性优良。纳米级sioxny薄介质膜的优化工艺条件：淀积成膜频率13．56mhz，功率5w(密度≈0．01lw·cm-2)，反应室气压46．55pa，衬底温度350℃，在反应气体(sih4：nh3：n2o=10 ...