| 描述 | RF TRANS NPN 70V 1.4GHZ 55ST | 晶体管类型 | NPN |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 70V | 频率 - 跃迁 | 1.2GHz ~ 1.4GHz |
| 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） | - | 增益 | 7.4dB |
| 功率 - 最大值 | 700W | 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 10 @ 1A，5V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 20A | 工作温度 | 200°C（TJ） |
| 安装类型 | 底座安装 | 封装/外壳 | 55ST |
| 供应商器件封装 | 55ST |
~370w，在s波段一般在100w。而用户雷达系统的输出功率一般都在数千瓦的范围，远远高于单个晶体管的输出功率水平。用户通常会涉及1kw或2kw的组件，以此为基础组合多个组件，合成达到雷达系统所要求的输出功率水平。 传统方法 应用传统方法，用户将合成220w晶体管(1×4×16),并使用阻抗从2ω变换到50ω，而且工程设计和生产阶段也要进行rf电路的调试。传统方法在复杂性、时间、效率及性能上都有一定的不足。 例如，在l波段最为常用的2kw组件会使用21只晶体管，如1214-220m，采用如图1所示的1推4推16的结构来实现。此例中分立晶体管的端阻抗在1~2ω之间，用户需要设计输入输出的外匹配电路将上述低阻抗变换到50ω，从而与系统中其他的rf分系统对接使用。这些工作要求具备专门的rf/微波领域的知识、技能和经验，并且非常费时。在单个晶体管匹配到50ω之后，用户还需要对4管和16管部分设计一到多路的输入功率分配到多到一路的输出合成电路在经过如此大数量的合成之后，由于16路合成器的损耗，组件整体的效率会下降50%到35~40%。同时，组件的尺寸也会很大，16个晶体管的偏置电路 ...
