| 描述 | RF DIR COUPLER 800MHZ-1.2GHZ SMD | 耦合器类型 | 标准 |
|---|---|---|---|
| 频率 | 800MHz ~ 1.2GHz | 耦合系数 | - |
| 应用 | 通用 | 插损 | 0.25dB |
| 功率 - 最大值 | 150W | 隔离 | 22dB |
| 回波损耗 | - | 封装/外壳 | 4-SMD，无引线 |
| 供应商器件封装 | - |
压缩点p>10 dbm；回波损耗≥ 18 db；最大工作电流≤ 120 ma。 关键器件选择 atf-54143 是一款高增益、宽动态范围、低噪声的e-phemt（增强模式伪形态高电子迁移率晶体管），只需要一个正的电压偏置，器件体积小，电路集成度高，特别适用于450 mhz — 6 ghz 频段的通信系统。而且根据器件性能，在漏电流ids为60 ma时能得到最高的三阶截取点（ip3）和最低噪声系数（nf），在漏电压vds为3 v 时，有较高的增益。同时选择xinger 1d1304-3，它是一款3db，90度混合耦合器，具有在800 mhz — 1200 mhz 频带内插入损耗小，高隔离度等优点，特别适用于平衡结构的lna设计。 考虑增益可调这部分，采用5 bit 数控衰减器hmc273（0.7 ghz — 3.7 ghz，1db —31 db 衰减范围），只要控制低4 bit的输入高低电平就能达到0 db— 15 db 衰减范围，满足了增益步进要求。 lna 电路的设计 通常，在设计lna 时主要考虑低噪声系数（nf），足够的增益和绝对稳定性 ...
