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  • 1F3G-AP

1F3G-AP

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  • 现有数量:0现货
  • 价格:在售
  • 系列:-
  • 包装:带盒(TB)
  • 产品状态:在售
产品属性
描述DIODE GEN PURP 200V 1A R-1技术标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)200 V电流 - 平均整流 (Io)1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.3 V @ 1 A速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr)150 ns不同 Vr 时电流 - 反向泄漏5 μA @ 200 V
不同?Vr、F 时电容12pF @ 4V,1MHz安装类型通孔
封装/外壳R-1,轴向供应商器件封装R-1
工作温度 - 结-55°C ~ 150°C

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