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  • 1F6G-TP

1F6G-TP

  • 制造商:-
  • 现有数量:0现货
  • 价格:停产
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
产品属性
描述DIODE GEN PURP 800V 1A R-1技术标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)800 V电流 - 平均整流 (Io)1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.3 V @ 1 A速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr)500 ns不同 Vr 时电流 - 反向泄漏5 μA @ 800 V
不同?Vr、F 时电容12pF @ 4V,1MHz安装类型通孔
封装/外壳R-1,轴向供应商器件封装R-1
工作温度 - 结-55°C ~ 150°C

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