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  • 1N4150

1N4150

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述DIODE ULTRA-FAST 50V DO-35电压 - (Vr)(最大)50V
电流 - 平均整流 (Io)200mA电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1V @ 200mA
速度小信号 =反向恢复时间(trr)6ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电100nA @ 50V电容@ Vr, F2.5pF @ 0V,1MHz
安装类型通孔封装/外壳DO-204AH,DO-35,轴向
供应商设备封装DO-35包装散装

“1N4150”DZBBS

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    被击穿后增加的电流会通过二极管而不会经过与二极管并联的负载上,从而可以保护与其并联的器件。常见的有保护场效应管,即在场效应管栅极反向并接一个二极管。二极管击穿电压一般在4v-7v.钳位作用:钳位作用就是利用二极管的正向导通电压在导通后维持在0.2-0.4v(鍺管),0.6-0.8v(硅管),从而使与其连接的器件两端电压维持在一个范围内,最简单就是三极管的be结电压在导通时可保持在钳位电压,这点常用于三极管的静态分析。一般无特别说明硅管取0.7v,鍺管取0.3v。开关二极管常见型号有1n4148,1n4150,1n4448,利用的是二极管的高速转换特性。限于水平,暂不作详细介绍。其它二极管还有肖特基二极管,隧道二极管,双向出发二极管,微功耗基准电压二极管等,由于其制作工艺不同而具有不同的功能。 ...

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