描述 | TEMPERATURE COMPENSATED | 电压 - 齐纳(标称值)(Vz) | - |
---|---|---|---|
容差 | - | 功率 - 最大值 | 500 mW |
阻抗(最大值)(Zzt) | 200 Ohms | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 2 μA @ 3 V |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | - | 工作温度 | -65°C ~ 175°C |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | DO-213AA |
供应商器件封装 | DO-213AA |
【Fairchild Semiconductor】1N456A,DIODE HI CONDUCTANCE 30V DO-35
【Fairchild Semiconductor】1N456A_T50R,DIODE HI CONDUCTANCE 30V DO-35
【Fairchild Semiconductor】1N456ATR,DIODE HI CONDUCTANCE 30V DO-35
【Fairchild Semiconductor】1N457,DIODE HI CONDUCTANCE 70V DO-35
【Fairchild Semiconductor】1N457_T50R,DIODE HI CONDUCTANCE 70V DO-35