描述 | VOLTAGE REGULATOR | 电压 - 齐纳(标称值)(Vz) | 12 V |
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容差 | ±10% | 功率 - 最大值 | 1 W |
阻抗(最大值)(Zzt) | 9 Ohms | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 5 μA @ 9.1 V |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.2 V @ 200 mA | 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | DO-204AL,DO041,轴向 |
供应商器件封装 | DO-41 |
后,vl熄灭,k断电释放,其常开触头断开,常闭触头接通,ha通电工作,发出"嘀、嘀"的报警声。用户得知停电的信息,处理完用电设备后,将s置于“1”位置后,ha停止发声。来电时,vl点亮,k吸合,ha发出几乎报警声,提醒用户已来电。用户将s置于"2"位置后,ha即停止发声。 元器件选择 rl和r2选用1/4w金属膜电阻器或碳膜电阻器。 cl选用耐压值为400v以上的涤纶电容器或cbb电容器;c2选用耐压值为16v的铝电解电容器。 vdi-vd4均选用1n4007型硅整流二极管。 vs选用1n4742(1w-12v)型硅稳压二极管。 vl选用φ5mm的红色事绿色高亮度以光二极管。 k选用4098型12v直流继电器。 ha选用twh15型讯响器或电磁蜂鸣器. s选用单极双位拨动开关. gb使用两节5号电池. 来源:零八我的爱 ...
改变 (由左负右正改变为左正右负),d2和d3的输入端由高电平变为低电平,输出端变为高电平,使v导通,其发射极输出的高电平又使vt受触发而导通,ell-el3全部点亮。 元器件选择 rl和r4均选用1/2w金属膜电阻器;r2、r3和r5-r8均选用1/4w金属膜电阻器。 cl选用耐压值为25v的铝电解电容器;c2选用耐压值大于16v的铝电解电容器;c3选用涤纶电容器或独石电容器。 vdl-vd4均选用ln5408型硅整流二极管;vd5-vd8均选用ln4148型硅开关二极管。 vs选用1n4742型 (lw、l2v)的硅稳压二极管。 v选用c8050或s8050、3dgl80n等型号的硅npn晶体管。 vt选用反向击穿电压为400v以上的晶闸管,其电流容量应根据ell和el2的总功率而定。 ic选用cd4069型六非门集成电路 (使用其内部的四个非门),也可用cd4011型四与非门集成电路代替,使用时将四个与非门接成非门电路使用。 来源:零八我的爱 ...
c的cpl端又产生一个高电平触发脉冲,使单稳态触发器翻转,ic的ql端又输出高电平,使双稳态触发器受触发翻转,ic的q2端由高电平变为低电平,vl和vt截止,el熄灭,m停转。约7s后,lc复位,其ql端又变为低电平,等待下一次触发。 元器件选择 rl选用1/2w金属膜电阻器;r2-r6选用1/4w碳膜电阻器或金属膜电阻器。 cl选用耐压值为400v的cbb电容器;c2-c4均选用耐压值为16v的铝电解电容器。 vd选用1n4001或1n4004、1n4007型硅整流二极管。 vs选用1n4742型硅稳压二极管。 v选用s9013或s8050型硅npn晶体管。 vt选用3a、400v以上的双向晶闸管。 ic选用cd4013型双d触发器集成电路。 sa选用常开型干簧管。 来源:零八我的爱 ...
cc/3,ic内电路翻转,3脚输出低电平,k释放,其常开触头将负载的工作电源切断。此状态一直维持到再次有光线照射到rg上为止, 元器件选择 rl-r4选用1/4w的金属膜电阻器或碳膜电阻器;r5选用1/2w的金属膜电蛆器。 rg选用mg45系列 (亮阻大于或等于lokω、暗阻小于或等于lmω)的光敏电阻器。 cl和c2选用独石电容器;c3选用耐压值为25v的铝电解电容器;c4选用耐压值大于400v的涤纶电容器或cbb电容器。 vdl和vd2均选用1n4007型硅整流二极管。 vs选用1n4742或2cw110(lw、l2v)型硅稳压二极管。 ic选用ne555或μa555型时基集成电路。 k选用jrx-l3f型l2v直流继电器。 来源:零八我的爱 ...
降压、vdi-vd4整流、vs稳压及c2滤波后,为间歇控制电路提供l2v直流电压,同时将vll点亮。 将工作状态选择开关s置于"a"位置时,间歇控制电路不工作,v饱和导通,k吸合,其常闭触头k3接通,电热毯长时司通电工作。 元器件选择 rl-r4选用1/4w碳膜电阻器或金属膜电阻器。 rpl和rp2均选用有机实心电位器。 cl选用耐压值为400v以上的cbb电容器;c2-c5均选用耐压值为16v的铝电解电容器。 vdl-vd5选用ln4001或1n4007型硅整流二极管。 vs选用1n4742或2cwli0(iw,l2v)型硅稳压二极管。 vli和vl2均选用d5mm的发光二极管,vll选绿色,v忧选红色。 v选用c8050或s8050、3dg8050、3dgl2型硅npn晶体管。 ic选用cd401l或cc401l、mcl401l、c036型四与非门集成电路。 k选用有4组转换触头的l2v直流继电器 (k3用两组触头并联使用)。 来源:零八我的爱 ...
12v充电电路,它用可控硅为开关,使充电器与电池之间以120hz的频率交替的接通和断开。在每个半周期,可控硅的阳极电压先逐渐变得更正,通过1.8k电阻使q1的基极正偏,因此,q1就有电流流过d1到达d1的控制极,于是,在半周期的这段时间内,d1导通,冰箱电池充电,在d1上的电压将还没有减小到0以前,d3将保持通导状态。当电压充电至13.2v时,充电过程自动停止。电路的其余部分在电池极性接错或输出引线意外出此案短路时起保护作用。特别的12.8v齐纳二极管可以用精选的1n4742和正偏的1n4002来代替。 来源:lidy ...
续按动s2时,ic3的yo-y7输出端依次轮流输出高电平,使kl-k8依次轮流导通,vli-vl8依次轮流点亮,输出电从最低档的+1·5v逐档升至最高档的+l2v。 按动sl时,ic3复位,其yo端输出高电平,输出电压为+1·5v。 元器件选择 rl-r14均选用1/4w金属膜电阻器。 rp选用密封式可变电阻器。 cl选用耐压值为25v的铝电解电容器;c2、c3、c5、c6和c8均选用独石电容器;c4和c7均选用耐压值为16v的铝电解电容器。 vs选用lw、l2v的硅稳压二极管,例如1n4742等型号。 vll-vl8均选用φ3mm的高亮度发光二极管。 ur选用2a、5ov的整流桥堆。 icl选用lm317或cw317型三端可调稳压集成电路;ic2选用cd4093型施密特触发器集成电路;ic3选用cd4017或mcl4017型十进制计数/脉冲分配器集成电路;lc4和1c5均选用lm324型四运放集成电路。 kl-k8均选用4098型直流继电器。为降低成本,也可以将k2-k8用cd4066电子开关集成电路来代替。 s0选用250v、触头电流负荷为sa的电源开关;s1和s2均选用 ...
时间。 改变rp2的阻值,可改变高频振荡器的工作频率 (使之频率为3okhz)。 元器件选择 rl-r7选用1/4w金属膜电阻器或碳膜电阻器。 rpl和r陀均选用超小型合成碳膜电位器。 cl选用耐压值为450v的cbb电容器;c2和c5均选用耐压值为16v的铝电解电容器;c3、c4和c7选用独石电容器或涤纶电容器;c6选用高频瓷介电容器或玻璃釉电容器。 vdl选用1n4007型硅整流二极管;vd2-vd8选用1n4148型硅开关二极管。 vs选用lw、l2v的硅稳压二极管,例如1n4742等型号。 vl选用φ5.mm的发光二极管。 vl选用s9013或s9014型硅npn晶体管;v2和v3选用3ddl5或ddo3型硅npn高反压晶体管。 icl选用cd4060型定时器集成电路;ic2选用cd4017型十进制计数/脉冲分配器集成电路,ic3选用ne555型时基集成电路。 t使用铁氧体磁心和高强度漆包线绕制:一次绕组用φ0.76mm的漆包线绕30-40匝;二次绕组用φ0.1mm的漆包线绕2500-3000匝。 s选用5a、220v的电源开关。 vc选用双极型臭氧管。 ...
2v电压经r5和s2对c4充电,便ic的6脚电压不断上升。待3omin定时时间结束时,c4两端电压上升至8v时,单稳态触发电路翻转,由暂态恢复为稳态,ic的3脚变为低电平,便vt截止,m停转。 元器件选择 rl-r8选用1/4w碳膜电阻器或金属膜电阻器。 cl选用耐压值为400v以上的涤纶电容器或cbb电容器;c2选用耐压值为25v的铝电解电容器;c3和c4均选用耐压值为16v的铝电解电容器;c5选用涤纶电容器或独石电容器。 vd选用1n4004或1n4007型硅整流二极管。 vs选用1n4742或2cw60(lw、l2v)型硅稳压二极管。 v选用s9013或3dg6型硅npn晶体管。 vt选用la、400v的双向晶闸管。 ic选用ne555或5g1555型时基集成电路。 s1选用普通交流电源开关,s2选用4档琴键开关;也可s1和s2共用一只双极五位波段开关。 ...
式,控制电路安装在吊灯的装饰罩内,通过吊灯的电源开关即可控制吊灯两种不同的工作状态。 该吊灯控制开关电路由电源电路和触发控制电路组成,如图所示。元器件选择 r1和r4均选用1/2w金属膜电阻器;r2、r3和r5~r8均选用1/4w金属膜电阻器。 c1选用耐压值为25v的铝电解电容器;c2选用耐压值大于16v的铝电解电容器;c3选用涤纶电容器或独石电容器。 vd1~vd4均选用1n5408型硅整流二极管;vd5~vd8均选用1n4148型硅开关二极管。 vs选用1n4742型(1w、12v)的硅稳压二极管。 v选用c8050或s8050、3dg180n等型号的硅npn晶体管。 vt选用反向击穿电压为400v以上的晶闸管,其电流容量应根据el1和el2的总功率而定。 ic选用cd4069型六非门集成电路(使用其内部的四个非门),也可用cd4011型四与非门集成电路代替,使用时将四个与非门接成非门电路使用。 ...