| 描述 | DIODE FAST REC 1A 600V DO-41 | 电压 - (Vr)（最大） | 600V |
|---|---|---|---|
| 电流 - 平均整流 (Io) | 1A | 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大） | 1.2V @ 1A |
| 速度 | 快速恢复 = 200mA（Io） | 反向恢复时间(trr) | 300ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电 | 5?A @ 600V | 电容@ Vr, F | - |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 供应商设备封装 | DO-41 | 包装 | 散装 |
| 其它名称 | 1N4937OS |
en/uv脚未接外部电阻器，则输入欠压检测功能将被禁止。 4 tny256的典型应用 由tny256组成的5.5w、9vdc电源适配器电路如图3所示，交流输入电压范围为85～265v。图中u2为光磁耦合器sfh615-2，u3为可调式并联精密稳压器tl431clp，f1为保险丝电阻器。85～265v交流电经过d1～d4桥式整流和c1、c2滤波后，得到约300v的直流高压vi。鉴于在功率mosfet关断瞬间，脉冲变压器的漏感会产生尖峰电压，因此，由电阻器r3、c3和超快恢复二极管d5（1n4937）组成的功率mosfet漏极钳位保护电路，可有效抑制漏极上的反向峰值电压，从而保护tny256内的功率mosfet不受损坏。c3选用10000pf/1kv的高压陶瓷电容器。 图３ 5.5w、9vdc电源适配器电路原理图 次级电压通过d6、c6、c7、l3和c8整充滤波后，得到9v、0.6a的直流输出。d4采用mbr360的肖特基二极管。为了抑制初、次级之间的共模干扰，在初、次级的同名端还并联一只2200pf/2kv的高压陶瓷电容c5。输出电压由精密电阻r7、r8决定，电阻 ...
，电源效率η≥72％；当交流输入电压u=230v或115v时，空载功耗分别为260mw或200mw。 rf（fusibleresistor）采用10ω、1w的熔断电阻器，当输入端发生短路故障时能起到过流保护作用。br为1a、600v的整流桥，亦可用4只1n4005型硅整流管来代替。c1、l和c2构成π型滤波器。lnk501的开关频率为42khz，允许使用简单的emi滤波器滤除电磁干扰，而且一般不需要初级返回端与次级返回端之间并联一只安全电容（亦称y电容）。 由1a、600v的硅二极管vd1（1n4937）和0.1μf电容器c4组成钳位保护电路，用来吸收由高频变压器漏感产生的尖峰电压。初级绕组的感应电压值（uor）亦称次级反射电压，它与输出电压uo之间存在下述关系式：uor=n（uo＋uf1）（式中n为初级与次级的匝数比，uf1为次级整流管的压降）。这表明uor能反映输出电压的高低。因此，利用取样电容c4所获得的反馈电压同样能反映出uo的变化情况。电阻r1的作用就是将c4上的反馈电压转换成反馈电流（即控制端电流ic），进而去调节lnk501的输出占空比，实现稳压目的。利用r2可降低开关噪声。根据 ...
。图3如en/uv脚未接外部电阻器，则输入欠压检测功能将被禁止。 4 tny256的典型应用 由tny256组成的5.5w、9vdc电源适配器电路如图3所示，交流输入电压范围为85～265v。图中u2为光磁耦合器sfh615-2，u3为可调式并联精密稳压器tl431clp，f1为保险丝电阻器。85～265v交流电经过d1～d4桥式整流和c1、c2滤波后，得到约300v的直流高压vi。鉴于在功率mosfet关断瞬间，脉冲变压器的漏感会产生尖峰电压，因此，由电阻器r3、c3和超快恢复二极管d5（1n4937）组成的功率mosfet漏极钳位保护电路，可有效抑制漏极上的反向峰值电压，从而保护tny256内的功率mosfet不受损坏。c3选用10000pf/1kv的高压陶瓷电容器。 次级电压通过d6、c6、c7、l3和c8整充滤波后，得到9v、0.6a的直流输出。d4采用mbr360的肖特基二极管。为了抑制初、次级之间的共模干扰，在初、次级的同名端还并联一只2200pf/2kv的高压陶瓷电容c5。输出电压由精密电阻r7、r8决定，电阻r9为tl431的限流电阻。 5 tny256的使用注意事项 t ...
/uv脚未接外部电阻器，则输入欠压检测功能将被禁止。 4 tny256的典型应用 由tny256组成的5.5w、9vdc电源适配器电路如图3所示，交流输入电压范围为 85～265v。图中u2为光磁耦合器sfh615-2，u3为可调式并联精密稳压器tl431clp，f1为保险丝电阻器。85～265v交流电经过 d1～d4桥式整流和c1、c2滤波后，得到约300v的直流高压vi。鉴于在功率mosfet关断瞬间，脉冲变压器的漏感会产生尖峰电压，因此，由电阻器r3、c3和超快恢复二极管d5（1n4937）组成的功率mosfet漏极钳位保护电路，可有效抑制漏极上的反向峰值电压，从而保护tny256内的功率mosfet不受损坏。c3选用10000pf/1kv的高压陶瓷电容器。 图３ 5.5w、9vdc电源适配器电路原理图 次级电压通过d6、c6、c7、l3和c8整充滤波后，得到9v、0.6a的直流输出。d4采用mbr360的肖特基二极管。为了抑制初、次级之间的共模干扰，在初、次级的同名端还并联一只2200pf/2kv的高压陶瓷电容c5。输出电压由精密电阻r7、r8决定，电阻 ...
供最高功率的影响，并提供vcc过压保护。内部4.0毫秒（ms）软启动消除了传统的启动应力。 ncp1337是电源适配器、离线电池充电器、crt电视电源、dvd播放器和机顶盒等其他消费电子产品、以及任何要求高能效和低emi电源的理想选择。该器件采用soic-7和pdip-7封装，每2,500片的批量单价为1.04美元。 参考设计中其他的器件包括: tl431a——可编程精度参考 ntp75n06——75 a、60 v mosfet mbr160——1 a、60 v肖特基整流器 1n4937——1 a、600 v快速恢复整流器 mmsz13、mmsz15——500 mw齐纳二极管 mmsd4148——开关二极管 mmbt3904l、mmbt3906l——通用晶体管 60 w电源适配器的完整文档包包括说明书、原理图、材料单、gerber图和评估结果，可在www.onsemi.com.cn获得，同时还提供产品规格及其他支持信息。 关于greenpoint(tm) greenpoint(tm)是安森美半导体高能效电源参考设计系列，以现有技术满足新兴能效标准，以及建立性能基准指标， ...
回楼主“这是什么？”图中符号表示一个恒流源，其内部构造没办法知道，可能是用电流镜。“什么作用？”这部分电路与该点经1n4937再经3300pf和4.7k电阻到电源那些电路作用相同，目的是吸收功率管上由于变压器漏感在功率管关断时产生的电压尖峰。“怎么实现脉宽调制的？”整个电路是单端反激电路。要知道怎么实现脉宽调制，需要先理解反激电路中变压器的工作以及功率管中电流波形，这个电流波形是三角波。脉宽调制是三角波与误差放大器输出进行比较而实现的。 ...
