描述 | DIODE ZENER 12V 500MW DO-35 | 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大) | 1.2V @ 200mA |
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电流 - 在 Vr 时反向漏电 | 1?A @ 9.1V | 容差 | ±5% |
功率 - 最大 | 500mW | 阻抗(最大)(Zzt) | 30 欧姆 |
安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | DO-204AH,DO-35,轴向 |
供应商设备封装 | DO-35 | 包装 | 散装 |
工作温度 | -65°C ~ 200°C |
时间(断电的时间)变长,使温度下降;反之,则工作过程相反,eh“开”的时间变长,“关”的时间变短,使温度升高;由于开、关的周期仅为30s左右,且开、关时间比的改变又是一个渐变的过程,故控温精度较高,温度波动小。 元器件选择: ic1(内含d1-d4)选用lm324集成四运算放大电路;ic2选用78l05或lm7805小型三端集成稳压器。vd1和vd2选用1n4148硅开关二极管;vd3选用1n4007硅整流二极管;vd4选用12v、0.5w的硅稳压二极管,如2cw60-12v或1n5242、1n5242b、1n6002、2cw5242型等;vd5选用红色发光二极管。vs选用2a、400v的晶闸管,如cr2am或csm2b等。 rp1和rp2均选用直线式实芯电位器。r1-r9、r11和r12均选用rtx-1/4w型碳膜电阻器;r10选用5w线绕电阻器。c1-c3均选用cd11-16型电解电容器。eh使用300w普通电熨斗加热芯(由于vs为晶闸管,加热器eh中通过的是半波交流电,因此加热功率仅为加热器标称功率的一半)。 制作与调试: 将所有电子元器件安装在一块自制的印制电路板上,并将其装入大小 ...