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  • 1N5621

1N5621

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  • 系列:-
  • 包装:散装
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产品属性
描述DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL技术标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)800 V电流 - 平均整流 (Io)1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.6 V @ 3 A速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr)300 ns不同 Vr 时电流 - 反向泄漏500 nA @ 800 V
不同?Vr、F 时电容20pF @ 12V,1MHz安装类型通孔
封装/外壳A,轴向供应商器件封装A,轴向
工作温度 - 结-65°C ~ 175°C

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