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  • 1N5809US

1N5809US

  • 制造商:-
  • 现有数量:1,828现货
  • 价格:1 : ¥68.45000散装
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:在售
产品属性
描述DIODE GEN PURP 100V 3A B SQ-MELF技术标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)100 V电流 - 平均整流 (Io)3A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)875 mV @ 4 A速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr)30 ns不同 Vr 时电流 - 反向泄漏5 μA @ 100 V
不同?Vr、F 时电容60pF @ 10V,1MHz安装类型表面贴装型
封装/外壳SQ-MELF,B供应商器件封装B,SQ-MELF
工作温度 - 结-65°C ~ 175°C

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