| 描述 | DIODE ZENER 4.7V 500MW DO-35 | 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大） | 1.2V @ 200mA |
|---|---|---|---|
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电 | 3?A @ 1.5V | 容差 | ±5% |
| 功率 - 最大 | 500mW | 阻抗（最大）(Zzt) | 70 欧姆 |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | DO-204AH，DO-35，轴向 |
| 供应商设备封装 | DO-35 | 包装 | 散装 |
| 工作温度 | -65°C ~ 200°C |
电压的高低。 电路中高，压部分 (倍压整流电路)应用环氧树脂胶封固，以免产生高压打火。 元器件选择 r1-r7均选用1/4w金属膜电阻器;r8-rl2均选用1/2w金属膜电阻器。 rp选用多圈电位器。 c1和c2均选用耐压值为l6v的铝电解电容器;c3选用高频瓷介电容器;用耐压值为630v的cbb电容器。 vdl-vd5均选用rfl07型快恢复整流二极管。 vsl选用lw、9.lv的硅稳压二极管，例如1n4739等型号;vs2选用1/2w、4·7v的硅稳压二极管，例如1n5230、1n5992b等型号。 vl选用φ3mm或φ5mm的普通发光二极管。 ur选用2a、5ov的整流桥堆。 vf选用bue7la(5ov、l2a)型场效应晶体管。 ic选用lm393型双运放集成电路。 tl选用10-2ow、二次电压为gv的电源变压器;倪用截面积为1.2cm.cm的e型磁心和漆包线制作:一次绕组用φo.51mm的漆包线绕21匝。二次绕组用φo.l9mm的漆包线绕12层，每层55匝(绕制时先绕二次绕组，然后再绕一次绕组)。 来源:university ...
