| 描述 | DIODE ZENER 10V 500MW DO-35 | 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大） | 1.2V @ 200mA |
|---|---|---|---|
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电 | 100nA @ 8V | 容差 | ±5% |
| 功率 - 最大 | 500mW | 阻抗（最大）(Zzt) | 15 欧姆 |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | DO-204AH，DO-35，轴向 |
| 供应商设备封装 | DO-35 | 包装 | 散装 |
| 工作温度 | -65°C ~ 200°C |
元器件选择 ro1、ro2、r1~r18选用1/4w碳膜电阻器或金属膜电阻器。 c01、c02、c04、c1~c8、c10、c11、c13、 c14、c16均选用高频瓷介电容器;c03和c9均选用瓷介微调电容器;c15、c17和c18均选用耐压值为16v的铝电解电容器。 vd1选用1n4148硅开关二极管;vd2、vd3均选用1n4007硅整流二极管。 vl1、vl2均选用φ3mm发光二极管，vl1选红色,vl2选绿色。 vs01选用1/2w、9.8v的1n5240或1n6000b稳压二极管。 v01选用2sc1730硅npn型晶体管;v1、v2均选用s9018高频晶体管;v3选用s9013硅npn型晶体管。 vt选用mcr100-6或mcr100-8小功率晶闸管。 ico1选用vd5026型数字编码集成电路;ic1选用lm358型运算放大集成电路;ic2选用vd5027型数据解码集成电路;ic3选用kd9561型音乐集成电路。 lo1、l1均选用tdk色码电感;lo2可用φ1.5mm的漆包线围成，也可直接印制在电路板上;l2用φ0.5mm的漆包线在φ4m ...
