| 描述 | DIODE ZENER 12V 500MW DO-35 | 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大） | 1.2V @ 200mA |
|---|---|---|---|
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电 | 100nA @ 9.1V | 容差 | ±5% |
| 功率 - 最大 | 500mW | 阻抗（最大）(Zzt) | 22 欧姆 |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | DO-204AH，DO-35，轴向 |
| 供应商设备封装 | DO-35 | 包装 | 散装 |
| 工作温度 | -65°C ~ 200°C |
选择 rl-r4均选用1/2w金属膜电阻器;r5选用1/4w金属膜电阻器。 rp选用小型可变电阻器。 cl和c2均选用铝电解电容器，cl的耐压值为63v，c2的耐压值为25v。 vdl-vd6均选用3a、400v的硅整流二极管，例如ln5404或2czl2e、2cz56g、ln5406等型号;vd7选用1n4001或ln4007型硅整流二极管;vd8选用8-1oa、loov的硅整流二极管，例如2cz58c-2cz58k等型号。 vs选用1/2w、l2v的硅稳压二极管，例如ln5242、1n6002b等型号。 vli和vl2均选用φ5mm的发光二极管，vll为绿色，vl2为红色。 vl和v2选用3cgzlb(vceo应大于30v、β值大于30)或25a1015、s9015、2n5401型硅pnp晶体管;v3和v4选用3da87c、3da93d、3dal5ld型硅npn晶体管;v5选用3ddl5d或2sd880、bd203、3ddlo2、ddo3c等型号的硅npn晶体管;v6选用2n3055或2sc2565、2scl585、2sc2607、2sc2921、3dd69d、3dklo9e等型号 ...
工作;当lc的3脚输出低电平时，vl熄灭，vt截止;eh不工作。 调整rp的阻值，可以改变vt的导通时间，从而改变eh连续通电工作的时间比，达到调温节电的目的。 元器件选择 rl选用1/2w金属膜电阻器;r2和r3选用1/4w金属膜电阻器或碳膜电阻器。 cl选用耐压值为400v的cbb电容器或涤纶电容器;c2和c3均选用耐压值为16v的铝电解电容器;c4选用独石电容器。 vdl选用1n4007型硅整流二极管;vd2选用1n4148型硅开关二极管。 vs选用1/2w的硅稳压二极管，例如1n6002b或ln5242a等型号。 vl选用φ5mm普通发光二极管。 vt选用la、400v的双向晶闸管。 ic选用ne355或5g1555、sl555、μa555型时基集成电路。 来源:零八我的爱 ...
均选用1/2w金属膜电阻器;r5选用1/4w金属膜电阻器。 rp选用小型可变电阻器。 cl和c2均选用铝电解电容器，cl的耐压值为63v，c2的耐压值为25v。 vdl-vd6均选用3a、400v的硅整流二极管，例如ln5404或2czl2e、2cz56g、ln5406等型号;vd7选用1n4001或1n4007型硅整流二极管;vd8选用8-loa、loov的硅整流二极管，例如2cz58c-2cz58k等型号。 vs选用1/2w、l2v的硅稳压二极管，例如1n5242·、1n6002b等型号。 vll和v愧均选用d5mm的发光二极管，vll为绿色，vl2为红色。 vi和vz选用3cgzlb(v。e。应大于30v、尸值大于30)或25a1015、59015、2n5401型硅pnp晶体管;v3和v4选用3da87c、3dag3d、3dal5ld型硅npn晶体管;v5选用3ddl5d或2sd880、bd203、3ddlo2、ddo3c等型号的硅npn晶体管;v6选用2n3055或2sc2565、2sc1585、2sc2607、2sc2921、3dd6gd、3dkloge ...
