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1N821-1E3/TR

产品属性

描述	DIODE ZENER TEMP COMPENSATED	电压 - 齐纳（标称值）(Vz)	6.2 V
容差	±5%	功率 - 最大值	500 mW
阻抗（最大值）(Zzt)	15 Ohms	不同 Vr 时电流 - 反向泄漏	2 μA @ 3 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)	-	工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	通孔	封装/外壳	DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装	DO-35（DO-204AH）

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