描述 | DIODE GEN PURP 40V 100MA SOD523 | 技术 | 标准 |
---|---|---|---|
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 40 V | 电流 - 平均整流 (Io) | 100mA |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 600 mV @ 50 mA | 速度 | 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 |
反向恢复时间 (trr) | - | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 5 μA @ 10 V |
不同?Vr、F 时电容 | 25pF @ 0V,1MHz | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SC-79,SOD-523 | 供应商器件封装 | SOD-523 |
工作温度 - 结 | -55°C ~ 125°C |
东芝电子开发出一款低泄漏电流、低正向电压的肖特基势垒二极管——1ss420。该器件适用于手机和数码相机等移动产品。 据介绍,东芝的1ss420二极管在反向电流(ir)最大为5μa (电压为30v)时,与传统产品1ss388 (40v/100ma)相比,正向电压(vf)约减少17% (@100ma)。 这款肖特基势垒二极管的泄漏电流、正向电压较小,有助于系统降低功耗。其反向电压=30v时,最大反向电流=5μa,正向电流=200ma时,最大正向电压=0.6v;可搭载于小型封装(esc),实现系统小型化;并提供无铅型产品。该器件的平均整流电流为200ma,反向电压为0v且f=1mhz时,端子间容量为20pf。 ...
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