| 描述 | SILICON CARBIDE GATE DRIVER | Digi-Key Programmable | Verified |
|---|---|---|---|
| 驱动配置 | 半桥 | 通道类型 | 同步 |
| 驱动器数 | 2 | 栅极类型 | P 沟道 MOSFET |
| 电压 - 供电 | 14V ~ 16V | 逻辑电压?- VIL，VIH | 1.25V，3.5V |
| 电流 - 峰值输出（灌入，拉出） | 10A，10A | 输入类型 | 非反相 |
| 高压侧电压 - 最大值（自举） | - | 上升/下降时间（典型值） | 80ns，90ns |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | 模块 | 供应商器件封装 | 模块 |
