| 描述 | IC DRIVER IGBT 2-CHAN PDSO-18-1 | 配置 | 半桥 |
|---|---|---|---|
| 输入类型 | 非反相 | 延迟时间 | 85ns |
| 电流 - 峰 | 1A | 配置数 | 1 |
| 输出数 | 2 | 高端电压 - 最大（自引导启动） | 1200V |
| 电源电压 | 14 V ~ 18 V | 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）18 引线 |
| 供应商设备封装 | PG-DSO-18 | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | 2ED020I12FIXT2ED020I12FXTSP000107512 |
之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压ugs 的控制，ugs 越高， id 越大。它与gtr 的输出特性相似。也可分为饱和区1 、放大区2 和击穿特性3 部分。在截止状态下的igbt ，正向电压由j2 结承担，反向电压由j1结承担。如果无n+ 缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入n+缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了igbt 的某些应用范围。 igbt的驱动电路必须具备2个功能：1）实现控制电路与被驱动igbt栅极的电隔离；2）提供合适的栅极驱动脉冲。本设计采用2ed020i12-f作为igbt驱动器，2ed020i12-f不仅体积小而且速度快，工作频率最高可达60 khz，开通和关断延时分别为120 ns和94 ns：并采用高端悬浮自举电源设计，单相桥式电路中，仅用一组电源即可，简化设计和节省成本。2ed020i12-f用于半桥驱动电路如图2所示。图中 c1、vdb分别为自举电容和二极管，c2为滤波电容。假定在vq1关断期间c1已经充电完成。当高端输入为高电平时，vq1导通，vq2关断，vcc加到vq1的栅极和源极之间。随着vq1的导通，vq1源极电压接近直流母线的正端电 ...
些应用中不能直接加强隔离。如果半导体技术不能通过使用介电隔离或通过将电路分离在两个芯片上提供保护，那么流过衬底的电流可能会导致某个特殊点上的ic故障。更重要的是，一旦当高边栅极驱动芯片，其可方便、可*的应用到中等功率的应用场合中。驱动器的内部结构图如图5所示。 具有隔离功能的半桥驱动器2eid020i12-f可实现高边驱动和+1a/-2a的输出电流。低边驱动和输入连同一个通用比较器和一个通用运算放大器一起集成在同一个芯片里，标准逻辑功能如高低边的欠压锁定也集成在芯片里。 图5 2ed020i12-f内部结构图 5 结语 本文表明放大作用和电平位移是栅极驱动的主要任务，讨论了多种实现电平位移的技术。介绍了一种新型的高边驱动解决方案，用无磁芯变压器技术设计具有电隔离的高边驱动。最后介绍了一款合并了无磁芯变压器技术的产品2ed020i12-f，体现了无磁芯变压器技术的优越性。 来源:ks99 ...
