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2N2219A-B

制造商：-
产品种类：Transistors Bipolar (BJT)
晶体管极性：NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO：50 V
发射极 - 基极电压 VEBO：6 V

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产品属性

描述	Transistors Bipolar (BJT) 800mA 50V	最大直流电集电极电流	0.8 A
直流集电极/Base Gain hfe Min	50 at 0.1 mA at 10 V	配置	Single
最大工作温度	+ 150 C	封装	Bulk
最小工作温度	- 55 C	功率耗散	800 mW
工厂包装数量	50

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