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2N2222A-B

制造商：-
产品种类：Transistors Bipolar (BJT)
晶体管极性：NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO：40 V
发射极 - 基极电压 VEBO：6 V

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产品属性

描述	Transistors Bipolar (BJT) 800mA 40V	最大直流电集电极电流	0.8 A
直流集电极/Base Gain hfe Min	35 at 0.1 mA at 10 V	配置	Single
最大工作频率	300 MHz	最大工作温度	+ 150 C
安装风格	Through Hole	封装 / 箱体	TO-18
封装	Bulk	最小工作温度	- 55 C
功率耗散	500 mW	工厂包装数量	100

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