| 描述 | SMALL-SIGNAL BJT | 晶体管类型 | PNP |
|---|---|---|---|
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 600 mA | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 40 V |
| 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值） | 1.6V @ 50mA，500mA | 电流 - 集电极截止（最大值） | 20nA（ICBO） |
| 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 40 @ 150mA，10V | 功率 - 最大值 | 400 mW |
| 频率 - 跃迁 | - | 工作温度 | - |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-206AA，TO-18-3 金属罐 |
| 供应商器件封装 | TO-18（TO-206AA） |
，c1、c2为电源退耦电容。晶振频率选32.768khz。 外部存储器使用两片512字节的24c04型e2prom。虚线框内表示硅压力传感器。通过温度补偿软件可获得测量精度与12位adc相当的压力值。图中的模拟线路都接到usdd端，仅在需要a／d转换时才给传感器供电，这样能节省整个系统的耗电量。硅压力传感器的输出电压经过单电源双运算放大器tlc1078（现仅用其一组放大器）放大后，送至tss400-s1／s2的a2端。s1、s2为工作模式转换开关。 e2prom的电源电压受r7口线的控制，vt（2n2906）为60v、0.6a的功率管。 来源:lover ...
