您的位置:维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > 2n3415_q

2N3415_Q

描述Transistors Bipolar (BJT) NPN Transistor General Purpose直流集电极/Base Gain hfe Min180 at 2 mA at 4.5 V
配置Single最大工作温度+ 150 C
安装风格Through Hole封装 / 箱体TO-92
封装Bulk集电极连续电流0.5 A
最小工作温度- 55 C功率耗散625 mW

2n3415_q的相关型号: