| 描述 | POWER BJT | 晶体管类型 | PNP |
|---|---|---|---|
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 3 A | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 40 V |
| 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值） | 750mV @ 200μA， 1mA | 电流 - 集电极截止（最大值） | - |
| 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | - | 功率 - 最大值 | 5 W |
| 频率 - 跃迁 | - | 工作温度 | -65°C ~ 200°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-205AA，TO-5-3 金属罐 |
| 供应商器件封装 | TO-5AA |
【Central Semiconductor】2N3789,Transistors Bipolar (BJT) PNP GP Power
【Central Semiconductor】2N3790,Transistors Bipolar (BJT) PNP GP Power
【Central Semiconductor】2N3790 LEDFREE,Transistors Bipolar (BJT) PNP GP Power
【Central Semiconductor】2N3791,Transistors Bipolar (BJT) PNP GP Power
【Central Semiconductor】2N3792,Transistors Bipolar (BJT) PNP Power SW
