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2N3859A_Q

制造商：Fairchild Semiconductor(Fairchild Semiconductor,Fairchild Semiconductor)
晶体管极性：NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO：60 V
发射极 - 基极电压 VEBO：6 V
最大直流电集电极电流：0.5 A

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产品属性关于Fairchild Semiconductor(Fairchild Semiconductor,Fairchild Semiconductor)

描述	Transistors Bipolar (BJT) NPN Transistor General Purpose	直流集电极/Base Gain hfe Min	75 at 1 mA at 1 V
配置	Single	最大工作频率	250 MHz
最大工作温度	+ 150 C	安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-92	封装	Bulk
集电极连续电流	0.5 A	最小工作温度	- 55 C
功率耗散	625 mW

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