| 描述 | Transistors Bipolar (BJT) | 最大直流电集电极电流 | 0.2 A |
|---|---|---|---|
| 直流集电极/Base Gain hfe Min | 60 at 0.1 mA at 1 V | 配置 | Single |
| 最大工作频率 | 250 MHz | 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | Through Hole | 封装 / 箱体 | TO-92 |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 625 mW |
【ON Semiconductor】2N3906RL1,Transistors Bipolar (BJT) 200mA 40V PNP
【ON Semiconductor】2N3906RL1G,TRANS SS PNP GP 40V 200MA TO-92
【ON Semiconductor】2N3906RLRAG,TRANS PNP GP SS 200MA 40V TO92
【ON Semiconductor】2N3906RLRM,Transistors Bipolar (BJT) 200mA 40V PNP
【ON Semiconductor】2N3906RLRMG,TRANS SS PNP GP 40V 200MA TO-92
【ON Semiconductor】2N3906RLRP,Transistors Bipolar (BJT) 200mA 40V PNP
【ON Semiconductor】2N3906RLRPG,TRANS SS PNP GP 40V 200MA TO-92