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2N4125TAR_Q

描述Transistors Bipolar (BJT) PNP Transistor General Purpose直流集电极/Base Gain hfe Min50 at 2 mA at 1 V
配置Single最大工作温度+ 125 C
安装风格Through Hole封装 / 箱体TO-92
封装Ammo集电极连续电流0.2 A
最小工作温度- 55 C功率耗散625 mW

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