| 描述 | TRANS NPN 500V 2A TO66 | 晶体管类型 | NPN |
|---|---|---|---|
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 2 A | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 500 V |
| 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值） | 1V @ 75mA，750mA | 电流 - 集电极截止（最大值） | 5mA |
| 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 30 @ 750mA，10V | 功率 - 最大值 | 35 W |
| 频率 - 跃迁 | - | 工作温度 | -65°C ~ 200°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-213AA，TO-66-2 |
| 供应商器件封装 | TO-66 |
in后自动停止工作。 调节rp的阻值，可改变振荡器的工作频率。 元器件选择 rl~r5选用1/4w碳膜电阻器或金属膜电阻器。 rp选用小型实心电位器或可变电阻器。 cl和c3均选用耐压值为16v的铝电解电容器;c2选用涤纶电容器或独石电容器;c4 选用高频瓷介电容器。 vdl选用儿u或2du系列的光敏二极管;vd2和vd3均选用1n4148型硅开关二极管;vd4选用in4007型硅整流二极管。 vl选用c8550或s8550型硅pnp晶体管;v2选用3duo5f或2scl031、2n4240等型号的硅npn晶体管。 ic选用cd4069六非门集成电路。 s1选用动合 (常开)型按钮;s2选用单极双位开关。 t采用 "e"形磁心绕制，一次绕组用二次绕组用0.49mm的漆包线绕3-5匝,二次绕组用φ0.18mm的漆包线绕900-1200匝。 来源:零八我的爱 ...
min后自动停止工作。 调节rp的阻值，可改变振荡器的工作频率。 元器件选择 rl-r5选用1/4w碳膜电阻器或金属膜电阻器。 rp选用小型实心电位器或可变电阻器。 cl和c3均选用耐压值为16v的铝电解电容器;c2选用涤纶电容器或独石电容器;c4选用高频瓷介电容器。 vdl选用2cu或2du系列的光敏二极管;vd2和vd3均选用1n4148型硅开关二极管;vd4选用1n4007型硅整流二极管。 vl选用c8550或s8550型硅pnp晶体管;v2选用3dmo5f或2scl031、2n4240等型号的硅npn晶体管。 ic选用cd4069六非门集成电路。 s1选用动合 (常开)型按钮;s2选用单极双位开关。 t采用 "e"形磁心绕制:一次绕组用φ0.49mm的漆包线绕3-5匝，二次绕组用φ0.18mm的漆包线绕900-1200匝。 ...
