| 描述 | JFET N-Chan JFET | 闸/源击穿电压 | 35 V |
|---|---|---|---|
| 漏极连续电流 | 15 mA | 配置 | Single |
| 安装风格 | Through Hole | 封装 / 箱体 | TO-72 |
| 正向跨导 gFS（最大值/最小值） | 0.0045 S to 0.0075 S | 功率耗散 | 300 mW |
| 工厂包装数量 | 500 |
当使用分立的jfet时，设计者可能需要将大量可变的器件参数与某个给定的晶体管型号相适应。一般会使用平方律方程，作为jfet漏极电流特性的一个近似模型：id=β（vgs-vp）2,其中，id是漏极电流，vgs是栅源电压，β是跨导参数，而vp是栅极的截止电压。与此近似，用下式可得栅源电压为0v时的零漂移漏极电压：idss=βvp2,其中idss是零漂移漏极电流。 图1是n沟道jfet的特性图，图中显示了一组器件可能的差异。例如，2n4416a数据表列出的截止电压为-2.5v~-6v,零漂漏极电流可以从5ma~15ma.对一些器件样品做观察，可发现这两个参数之间有相关性。图中靠外的曲线就表示出了这些极端情况，而中间的曲线则可能表示一个-4v截止电压和8ma零漂漏极电流的典型情况。 图1,不同n沟道jfet器件的i 串联电感，则可能需62 d-vgs特性可以有很大的差异。 对于量产电路，虽然可以在某些器件差异之内做设计，有时也需要一个工具来快速地确定一组分立器件的特性。这种工具能够挑选出一只最适合于某个电路的器件，或者找到参数匹配相当理想的一对器件。 图2是用于此目的一个简单测试 ...
