| 描述 | POWER BJT | 晶体管类型 | PNP |
|---|---|---|---|
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 200 mA | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 200 V |
| 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值） | 1.2V @ 3mA，30mA | 电流 - 集电极截止（最大值） | 250nA（ICBO） |
| 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 50 @ 30mA，10V | 功率 - 最大值 | 1 W |
| 频率 - 跃迁 | - | 工作温度 | -65°C ~ 200°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 3-SMD，无引线 |
| 供应商器件封装 | U4 |
