描述 | NPN SILICON TRANSISTOR | 晶体管类型 | NPN |
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电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 5 A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 80 V |
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值) | 1.5V @ 500mA,5A | 电流 - 集电极截止(最大值) | 50μA |
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 70 @ 2.5A,5V | 功率 - 最大值 | 2 W |
频率 - 跃迁 | - | 工作温度 | -65°C ~ 200°C(TJ) |
安装类型 | 接线柱安装 | 封装/外壳 | TO-210AA,TO-59-4,接线柱 |
供应商器件封装 | TO-59 |