| 描述 | Transistors Bipolar (BJT) Small Signal Transistor | 最大直流电集电极电流 | 0.15 A |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single | 最大工作频率 | 30 MHz (Min) |
| 最大工作温度 | + 200 C | 封装 / 箱体 | TO-39 |
| 最小工作温度 | - 65 C | 功率耗散 | 1 mW |
4w的碳膜电阻器或金属膜电阻器。 rp选用小型带开关 (电源开关sl)线性合成碳膜电位器。 cl选用耐压值为16v的铝电解电容器;c2、c6均选用高频瓷介电容器;已选用耐压值为160v的铝电解电容器;c4和c5选用涤纶电容器或独石电容器;c7选用耐压值为160v的cbb电容器。 vdl-vd3均选用1n4148型硅开关二极管。 vsl选用1/2w、33v的硅稳压二极管;vs2选用1/2w、47v的硅稳压二极管。 vl选用φ3mm的绿色发光二极管。 vl选用3dgl80n或bclo0、2n5058型硅npn晶体管;v2和v4选用2n5551或3dg84g型npn晶体管;v3和v5选用2n5401或3ca3f型硅pnp晶体管。 icl选用cd4093型四与非门施密特触发器集成电路;lc2选用cd40106b型六非门施密特触发器集成电路。 l选用小型铁氧体电感线圈。 s2选用小型拨动式开关。 gb选用9v叠层电池。 ...
