| 描述 | POWER BJT | 晶体管类型 | PNP |
|---|---|---|---|
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 10 A | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 60 V |
| 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值） | - | 电流 - 集电极截止（最大值） | - |
| 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | - | 功率 - 最大值 | 20 W |
| 频率 - 跃迁 | - | 工作温度 | -65°C ~ 200°C（TJ） |
| 安装类型 | 接线柱安装 | 封装/外壳 | TO-210AA，TO-59-4，接线柱 |
| 供应商器件封装 | TO-59 |
【Fairchild Semiconductor】2N5086,Transistors Bipolar (BJT) TO-92
【Fairchild Semiconductor】2N5086_D26Z,Transistors Bipolar (BJT)
【Fairchild Semiconductor】2N5086BU,TRANSISTOR PNP 50V 100MA TO-92
【Fairchild Semiconductor】2N5086TA,TRANSISTOR PNP 50V 100MA TO-92
【Fairchild Semiconductor】2N5086TAR,TRANSISTOR PNP 50V 100MA TO-92
