描述 | Digital Transistors / Resistor Biased NPN Gen Pur SS | 封装 / 箱体 | TO-92-3 |
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最大工作频率 | 50 MHz | 集电极—发射极最大电压 VCEO | 25 V |
集电极连续电流 | 0.05 A | 功率耗散 | 625 mW |
最大工作温度 | + 150 C | 封装 | Box |
发射极 - 基极电压 VEBO | 4.5 V | 最小工作温度 | - 65 C |
标准包装数量 | 2500.0 |
【Fairchild Semiconductor】2N5089_D26Z,Transistors Bipolar (BJT)
【Fairchild Semiconductor】2N5089_D74Z,Transistors Bipolar (BJT)
【Fairchild Semiconductor】2N5089_D75Z,Transistors Bipolar (BJT)
【Fairchild Semiconductor】2N5089_J18Z,TRANSISTOR NPN 25V 100MA TO-92
【Fairchild Semiconductor】2N5089_J18Z_Q,Transistors Bipolar (BJT) NPN Transistor General Purpose
【Fairchild Semiconductor】2N5089BU,IC TRANS NPN SS LN 100MA TO-92