| 描述 | Transistors Bipolar (BJT) NPN VHF Amp | 最大直流电集电极电流 | 0.05 A |
|---|---|---|---|
| 直流集电极/Base Gain hfe Min | 25 at 3 mA at 1 V | 配置 | Single |
| 最大工作频率 | 2000 MHz | 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | Through Hole | 封装 / 箱体 | TO-72 |
| 封装 | Box | 集电极连续电流 | 50 mA |
| 最小工作温度 | - 65 C | 功率耗散 | 200 mW |
| 工厂包装数量 | 2000 |
+扩区，对于输入端铝条跨过n+扩区的双极电路，使用时应采取必要的防静电措施。 e.测试和传递中出现肖特基ttl电路(54s181、54s420)电性能异常 ，输入漏电增大 。经解剖分析，在金相显微镜下观察芯片表面未发现任何电损伤痕迹，但在去除铝和sio2后，在输入端的发射极接触孔内却发现了较轻的小坑，再用cp4溶液进行腐蚀后小坑变得更加明显。用“静电模拟器”进行模拟试验，出现的失效现象与它十分类似。可见这种失效是由esd损伤引起，也可能是其它的轻度电损伤引起。 f.某仪表系统输入端使用的2n5179超高频晶体管多次发生失效 ，失效模式为放大系数降低 ，特别是在小电流下(例如ic＝100μa)的放大系数下降到大约为1左右，同时eb结出现较大反向漏电。解剖后，在金相显微镜下观察芯片表面，在eb极之间的铝条上有一个很小的变色区，它是由瞬间的电过应力(电浪涌)引起的过合金区，这种失效一般由静电放电引起，对于输入端为超高频小功率管基极的电子系统，输入端应设计输入保护网络，如果系统特性不允许增加保护网络，则必须采取防静电放电操作措施。 g.带有mos电容器作为内补偿的运算放大器，在使用中常有失效， ...
+扩区，对于输入端铝条跨过n+扩区的双极电路，使用时应采取必要的防静电措施。 e.测试和传递中出现肖特基ttl电路(54s181、54s420)电性能异常，输入漏电增大。经解剖分析，在金相显微镜下观察芯片表面未发现任何电损伤痕迹，但在去除铝和sio2后，在输入端的发射极接触孔内却发现了较轻的小坑，再用cp4溶液进行腐蚀后小坑变得更加明显。用“静电模拟器”进行模拟试验，出现的失效现象与它十分类似。可见这种失效是由esd损伤引起，也可能是其它的轻度电损伤引起。 f.某仪表系统输入端使用的2n5179超高频晶体管多次发生失效，失效模式为放大系数降低，特别是在小电流下(例如ic＝100μa)的放大系数下降到大约为1左右，同时eb结出现较大反向漏电。解剖后，在金相显微镜下观察芯片表面，在eb极之间的铝条上有一个很小的变色区，它是由瞬间的电过应力(电浪涌)引起的过合金区，这种失效一般由静电放电引起，对于输入端为超高频小功率管基极的电子系统，输入端应设计输入保护网络，如果系统特性不允许增加保护网络，则必须采取防静电放电操作措施。 g.带有mos电容器作为内补偿的运算放大器，在使用中常有失效，失 ...
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